偏光ビーム放射半導体素子

专利摘要:
ここに示されているのは、第１の偏光方向を有する偏光ビームを放射する半導体素子である。この半導体素子は、チップケーシングと、半導体チップと、チップから離れた偏光フィルタとを有する。
公开号:JP2011507240A
申请号:JP2010537253
申请日:2008-12-12
公开日:2011-03-03
发明作者:ムシャヴェック ユリウス；ヴィルト ラルフ
申请人:オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングＯｓｒａｍ Ｏｐｔｏ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ ＧｍｂＨ；
IPC主号:H01L33-58

专利说明:

[0001] 本発明は、第１の偏光方向を有する偏光ビームを放射する半導体素子に関する。]
[0002] 本願明細書は、ドイツ連邦共和国特許明細書第10 2007 060 202.4号の優先権を主張するものであり、その開示内容を引用によってここに取り込むものとする。]
[0003] 例えば、発光ダイオードなどのビーム放射半導体素子は、そのコンパクトなサイズおよび効率に起因して有利な光源である。しかしながら形成されるビームは、放射が自然発生的であることに起因して、たいていは偏光していない。しかしながら、例えば、ＬＣＤバックライトなどの応用では偏光ビームが要求される。このため、従来の光学系では、発光ダイオードによって形成したビームが、この発光ダイオードに後置した外部偏光フィルタによって偏光される。しかしながらこのことはコンパクトな構造と矛盾する。またこの光学系ではふつう、通過しなかったビームは失われてしまう。すなわち、これらのビームがこの光学系においてさらに使用されることはなく、この光学系の効率は、これに甘んじて受け入れているのである。]
[0004] 本発明において解決すべき課題は、効率的に偏光ビームを形成する半導体素子を提供することである。この課題は、請求項１に記載した偏光ビーム放射放半導体素子によって解決される。]
[0005] この半導体素子の有利な発展形態は、従属請求項に記載されている。]
[0006] 本発明の好適な１実施形態によれば、第１の偏光方向を有する偏光ビームを放射する半導体素子は、チップケーシングと、このチップケーシングに配置されておりかつ偏光されていないビームを形成する半導体チップと、チップから離れかつ上記のチップケーシングと一体化された偏光フィルタとを有しており、ここでこの偏光フィルタは、主方向に見て上記の半導体チップに後置されておりかつこの半導体チップから送出されるビームを第１の偏光方向を有する第１のビーム成分と、第２の偏光を有する第２ビーム成分とに分離する。ここでチップから離れた偏光フィルタは、第１のビーム成分に対する透過率が、第２のビーム成分に対する透過率よりも高い。]
[0007] 有利には上記の第１のビーム成分は大部分が、チップから離れた偏光フィルタを通って透過するのに対し、上記の第２のビーム成分は、チップから離れたこの偏光フィルタにおいて大部分が反射される。殊に反射した第２のビーム成分は、チップから離れた上記の偏光フィルタにおける反射の後、再びチップケーシングに達する。ここでは反射過程が生じるか、または半導体チップにおける吸収過程および再放射過程が発生することがあり、これらにより、反射された第２のビーム成分が再利用される。この過程の経過中に偏光方向の変化が生じて、反射された第２のビーム成分の一部が第１の偏光方向を有することがある。すなわち、理想的には、光ビームが第１の偏光方向を有し、上記の偏光フィルタに当たって出力結合され得るまで、この光ビームは、上記の半導体素子ないしはチップケーシングにおいて進み続けるのである。または上記の光ビームは、半導体チップによって吸収されて、第１の偏光方向で再放射されて出力結合することができる。]
[0008] １つのビームを放射する半導体素子および外部の偏光フィルタを有する従来の光学系に比べ、本発明による半導体素子によれば、効率を上げることができる。それは、反射された第２のビーム成分を再利用できるからである。]
[0009] 上記のことは本発明の別の実施形態にも当てはまり、ここではチップから離れた偏光フィルタの側を向いた半導体チップの表面に、チップ近くの偏光フィルタが配置されており、このチップ近くの偏光フィルタは、第１のビーム成分に対する透過率が、第２のビーム成分に対する透過率よりも高い。すなわち、上記のチップ近くの偏光フィルタを用いることによって、すでに第１のフィルタリングを行うことができ、この際に有利にも第１のビーム成分が、チップ近くの偏光フィルタを通って大部分が透過するのに対して、第２のビーム成分は、チップ近くの偏光フィルタによって大部分が反射されて半導体チップに戻り、それで吸収および再放射によって再利用することができるのである。]
[0010] 通過したビーム成分は、上記のチップから離れた偏光フィルタに当たってそこで濾波される。ここでは上ですでに説明したのと同じように経過することが可能である。]
[0011] この実施形態における半導体素子は有利にも、ただ１つの偏光フィルタを有する実施形態の場合よりも多くの偏光ビームを放射することができる。]
[0012] しかしながら作製は一層繁雑である。それは、より小さい上記のチップ近くの偏光フィルタは、より大きな上記のチップから離れた偏光フィルタよりも作製がより一層難しいからである。]
[0013] 本発明において「チップから離れた」とは、上記の偏光フィルタが半導体チップに直に隣接していないことであると理解されたい。これに相応して「チップ近く」とは、上記の偏光フィルタが半導体チップに隣接していることを意味する。]
[0014] 本発明では、半導体チップは、殊にエピタキシャル成長させた複数の半導体層の積層体から構成され、この積層体は、波長λのビームを形成する活性領域を有する。]
[0015] この活性領域には、ビームを形成するｐｎ接合部が含まれている。このｐｎ接合部は、最も簡単な場合には、互いに直に隣接するｐ導電型形半導体層とｎ導電形半導体層とによって形成することが可能である。しかしながら上記のｐ導電形半導体層とｎ導電形半導体層との間に、実際のビームを形成する層、例えば、ドーピングされた量子層またはドーピングされていない量子層の形態の層を配置することもできる。この量子層は、単一量子井戸構造（ＳＱＷ，Single Quantum Well）または多重量子井戸構造（ＭＱＷ，Multiple Quantum Well）として形成することができ、あるいは量子ワイヤまたは量子ドット構造として形成することもできる。]
[0016] 有利な１実施形態では、上記の半導体チップの積層体には、窒化物半導体が含まれている。すなわち上記の積層体は、例えば、ＡｌxＧａyＩｎ1-x-yＮを有しており、ここで０≦x≦１，０≦y≦１およびx+y≦１である。ここでこの材料は、必ずしも上述の式に基づく数学的に厳密な組成を有する必要はない。むしろこの材料は、ＡｌxＧａyＩｎ1-x-yＮ材料の特徴的な物理特性を実質的に変化させない１つまたは複数のドーパントならびに付加的な成分を有することができる。しかしながら分かり易くするために上述の式には結晶格子（Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｎ）の主要な構成要素だけが含まれているが、これらの構成要素は、わずかな量の他の材料によって部分的に置き換えられていることもある。]
[0017] 上記のチップから離れた偏光フィルタおよび／またはチップ近くの偏光フィルタは、好適な実施形態によれば、金属格子を有する。有利にはこの金属格子を、互いに平行に延びる金属ストライプから構成する。この金属ストライプに対して平行な偏光方向を有する光ビームは反射されるのに対し、金属ストライプに対して垂直な偏光方向を有する光ビームは透過する。すなわちこの場合、第１の偏光方向は、金属ストライプに対して垂直な偏光方向に相当し、第２の偏光方向は、金属ストライプに対して平行な偏光方向に相当するのである。]
[0018] しかしながら本発明の枠内では、上記の第１の偏光方向が、平行な偏光方向に相当し、第２の偏光方向が、垂直な偏光方向に相応することも可能である。]
[0019] 上記の金属格子の金属ストライプは、有利には波長λよりも小さい間隔で互いに配置される。この金属ストライプの幅は、この間隔の分数になるようにする。このように小さい構造は、例えば、リソグラフィ技術またはインプリント法によって作製可能である。]
[0020] チップ近くの偏光フィルタの場合、上記の金属ストライプは、半導体チップの表面に直に接載置することができる。チップから離れた偏光フィルタの場合、上記の金属ストライプを支持体、例えば、プラスチックシートまたはガラス基板に載置して、これを上記のチップケーシングに固定することが考えられる。]
[0021] 偏光フィルタの別の実現は、複屈折形の多層フィルタによって得られる。この多層フィルタは、例えば、第１の屈折率ｎ１および第２の屈折率ｎを有する少なくとも１つの第１の複屈折層と、第３の屈折率ｎ２および第２の屈折率ｎを有する少なくとも１つの第２の複屈折層とを備えている。上記の第２の層は有利には、放射方向で見て第１の層に後置される。殊に有利には上記の第１の層および第２の層は、λ／４の光学的な厚さを有する。]
[0022] 上記の層の複屈折の特性は、例えば、層を歪ませることによって形成することができる。例えば、上記の層を所定の方向に引っ張ることができる。有利にはこれらの層にプラスチック材料が含まれる。]
[0023] 有利な１変形実施形態において上記の偏光フィルタは、例えば、プラスチック材料を含むシートである。このシートは取り扱いが容易であり、上記のチップケーシングに簡単に組み込むことができる。]
[0024] 有利な１発展形態において上記のチップケーシングは凹部を有しており、この凹部の境界は、半導体チップが取り付けられる底面と、少なくとも１つの側面とによって定められている。有利には少なくとも上記の側面が反射性である。すなわちこの側面は、好適に反射率が高いのである。さらに上記の底面も反射性とすることが可能である。上記のように好適に反射率が高いことにより、上記のチップから離れた偏光フィルタにおいて反射した第２のビーム成分の大部分を再利用することができる。すなわち、反射した第２のビーム成分の一部は、チップケーシングにおける反射によって、または半導体チップにおける吸収過程および再放射過程によって、偏光方向が変化して出力結合され得るのである。]
[0025] さらに上記の凹部の対称的な形状、例えば、円対称または回転対称の形状は有利である。これにより、偏光方向を変化させるのに好適な多重反射を発生させることができる。図４に関連してさらに詳しく説明するように、偏光方向を変化させるため、殊にチップケーシングにおける２回以上の反射は有利である。] 図４
[0026] 有利な実施形態において上記の側面は、少なくとも一部分が反射層によって覆われる。上記の底面も少なくとも一部分を反射層によって覆うことができる。上記の反射層は、例えば、金属層である。金属層を用いれば、比較的高い反射率を得ることができる。]
[0027] 上記の側面は、平らにすることができる。すなわち側面は、上記の波長λよりも小さい粗面構造しか有しないのである。これによって鏡面反射を発生させることができる。すなわち、側面に当たる光ビームの入射角と反射角とが、法線に関して同じ大きさになるのである。]
[0028] しかしながら上記の側面が、波長λよりも大きな凹凸を有することも可能である。例えば、上記の側面を凹凸によって粗面化して、互いに斜めに延在する平らな部分面を構成してこれらの部分面が鏡面のように作用するようにする。すなわち、上記の側面は有利には、互いに斜めに延在する平らな部分面から構成される表面構造を有しており、これらの部分面が鏡面のように作用するのである。有利にも上記のような表面構造により、チップから離れた偏光フィルタにおいて反射した第２のビーム成分の偏光完全混合（Polarisationsdurchmischung）を改善することができる。]
[0029] 有利な１実施形態において上記のチップから離れた偏光フィルタは、上記の凹部を覆う。殊に上記のチップから離れた偏光フィルタは、このために上記のチップケーシングに配置することができる。上記の偏光フィルタは、上記のチップケーシングに載置して凹部を覆うか、またはこの凹部において、例えば、充填剤上に精確に嵌め合わせて配置することができる。この際には上記の偏光フィルタは、上記の半導体チップを、例えば外部からの影響から保護するカバーとして使用することができる。上記のチップから離れた偏光フィルタをチップケーシングに配置することにより、また上記の凹部に配置することにより、上記の偏光フィルタはチップケーシングと一体化される。]
[0030] さらに上記の凹部には、上記のチップから離れた偏光フィルタと半導体チップとの間に充填剤を配置することができる。有利にはこの充填剤は、上記の凹部を完全に充填する。ふつうは充填剤を使用して、湿気、塵、異物、水その他が浸入することなどの外部からの影響から上記の半導体チップを保護する。]
[0031] 例えば、上記の充填剤は、エポキシ樹脂またはシリコーンを含む充填材料を有することができる。さらに上記のような充填材料によって、上記の半導体チップと周囲との間の屈折率の跳躍を低減できるため、半導体チップと周囲との間の移行部における全反射によるビーム損失が小さくなる。さらに上記の充填剤の表面は、上記の偏光フィルタに対する好適な載置面を構成し得る。]
[0032] 本発明では有利には、薄膜技術で作製した半導体チップを使用する。上記の薄膜半導体チップを作製する際には、上記の積層体をまず成長基板にエピタキシャル成長させる。つぎに成長基板とは反対側のこの積層体の表面に支持体を載置し、引き続いて上記の成長基板を切り離す。殊に窒化物半導体に使用される成長基板、例えばＳｉＣ、サファイアまたはＧａＮは比較的高価なので、この方法により、殊にこの成長基板を再利用できるという利点が得られるのである。]
[0033] 上記の薄膜半導体チップは、好適に出力結合効率を増大させたランバート放射器である。]
[0034] 本発明の別の特徴、利点および発展形態は、以下で図１〜４に関連して説明する実施例に記載されている。] 図１ 図２ 図３ 図４
図面の簡単な説明

[0035] 本発明による半導体素子の第1実施例の概略断面図である。
本発明による半導体素子の第２実施例の概略断面図である。
本発明による半導体素子の第３実施例の概略断面図である。
鏡面における多重反射の説明図である。]
[0036] 図１に示した半導体素子１は、チップケーシング２と、チップケーシング２に配置されている半導体チップ３とを有している。チップケーシング２には、チップから離れた偏光フィルタ４が配置されており、これは、チップケーシング２の凹部５を覆っている。上記のチップから離れた偏光フィルタ４は、チップケーシング２と一体化されている。] 図１
[0037] この実施形態において偏光フィルタ４は、互いに平行に延在する金属ストライプ４ａから構成される金属格子を有する。]
[0038] 半導体チップ３は、チップケーシング２の凹部５に配置されている。半導体チップ３には有利には、凹部５を完全に満たす充填剤が入れられている。この充填剤には、例えば、透光性の充填材料が含まれている。例えば、この充填材料はシリコーンまたはエポキシ樹脂とすることが可能である。]
[0039] 凹部５の境界は、チップケーシング２の内側の側面６と、内側の底面７とが定めている。この実施例において凹部５は、円対称形であり、すなわち、半導体チップ３の方向に先細りになった円錐台の形状を有する。すなわち側面６は、円錐台の側面に相当するのである。この円対称は、主方向Ｖを基準にした円対称である。凹部５が回転対称の形状を有し、凹部５が１つ以上の側面６を有することも可能である。]
[0040] 主方向Ｖは同時に、半導体素子１から到来するビームの大部分が放射される方向でもある。]
[0041] 側面６は有利には反射性であり、したがって反射器として使用される。付加的には底面７も反射性とすることが可能であり、この底面は側面６と共に反射器を構成する。反射率を改善するため、例えば側面６を反射層１１で覆うことができる。これに対しては、例えば金属層が好適である。]
[0042] 図示の実施例では側面６は平らである。すなわちこの側面は、波長λよりも小さい粗面構造を有するのである。これによって鏡面反射を発生させることができる。すなわち、側面に当たる光ビームの入射角と、反射角とは法線に関して同じ大きさである。]
[0043] 例えば薄膜半導体チップである半導体チップ３により、偏光されていないビームＳが形成され、このビームは主方向Ｖに偏光フィルタ４に当たる。偏光フィルタ４は、偏光されていないビームＳを、第１の偏光方向を有する第１のビーム成分と、第２の偏光方向を有する第２の偏光成分とに分離する。ここでチップから離れた偏光フィルタ４は、第１のビーム成分Ｓ１に対する透過率が、第２のビーム成分Ｓ２に対する透過率よりも高い。]
[0044] すなわち、第1のビーム成分Ｓ１の大部分が透過するのに対して、第２のビーム成分Ｓ２は大部分が反射されるのである。これによって半導体素子１は全体として第１の偏光方向を有する偏光ビームを放射するのである。]
[0045] 反射した第２のビーム成分Ｓ２は、チップから離れた偏光フィルタ４における反射の後、再びチップケーシング２に達する。ここでは反射過程が生じるか、または半導体チップ３において吸収過程および再放射過程が発生し得る。この過程の経過中に偏光方向の変化が生じて、反射された第２のビーム成分の一部が第１の偏光方向を有し、半導体素子１から出力結合されることがある。]
[0046] 破線の矢印によって示したように、偏光フィルタ４で反射しかつ第２の偏光方向を有する光ビームであって、チップケーシング２において走り回る光ビームは、２回以上の反射の後、その偏光方向が変化して、第１の偏光方向を有することがある。偏光フィルタ４に改めて当たると、この光ビームはこの場合に半導体素子１から出力結合され得る。上記の光ビームは、半導体チップ３によって吸収され、第１の偏光方向で再放出されて出力結合されることも可能である（図示せず)。]
[0047] すでに述べたように偏光フィルタ４は金属格子を有する。ここで金属ストライプ４ａに対して平行な偏光方向を有する光ビームは反射されるのに対し、金属ストライプ４ａに対して垂直な偏光方向を有する光ビームは透過する。すなわち、この場合に第１の偏光方向は、金属ストライプ４ａに対して垂直な偏光方向に相当し、第２の偏光方向は、金属ストライプ４ａに対して平行な偏光方向に相当するのである。]
[0048] 以下では、外部の偏光フィルタを使用する従来の光学系と比較して、本発明による半導体素子１の効率を示す。]
[0049] 半導体チップ３は、50％の拡散反射率を有し、また0.5mm×0.5mm×0.2mmのサイズを有する。上記の充填剤の屈折率は1.5である。側面６に対して反射率は90％とする。底面７の直径は1.8mmであり、ビーム出射側の凹部５の直径は3mmである。チップケーシング２は、約1.5mmの平均の高さを有する。偏光フィルタ４の透過率は50％である。]
[0050] ここでは、偏光フィルタ４がなければ、半導体チップ３によって形成されるビームＳの約80.5％が半導体素子１から出力結合されると仮定する。偏光フィルタ４の透過率は50％であるため、結果的に偏光フィルタ４によってビームＳの半分、約40.3％がチップケーシング２に戻る。反射過程および吸収および再放射過程により、半導体素子１の出力結合効率は、平均として52％に上げることができる。しかしながら従来の光学系では、反射したビーム成分がさらに利用されることはない。したがって40.3％は失われて、効率も同様にわずかに40.3％である。すなわち、本発明による半導体素子１では効率を従来の光学系と比べて約29％増大させることができるのである。]
[0051] 図２に示した半導体素子１は、図１の半導体素子１と実質的に同じ構造を有する。違いは側面６の表面構造だけである。側面６は、波長λよりも大きな凹凸８を有する。殊に側面６は凹凸８によって粗面化されており、これによって互いに斜めに延在する平らな部分面９が構成されて、これらの部分面９が鏡面のように作用する。すなわち側面６は、互いに斜めに延在する平らな部分面９から構成される表面構造を有しており、これらの部分面が鏡面のように作用するのである。第２の実施例では、約44.6％の出力結合効率を達成することができる。すなわちこの出力結合効率は、第１の実施例において達成可能な約52％の出力結合効率を下回っている。しかしながら有利にも、上記のような凹凸８により、チップから離れた偏光フィルタ４において反射した第２のビーム成分Ｓ２の偏光完全混合（Polarisationsdurchmischung）を改善することができるのである。] 図１ 図２
[0052] しかしながら第２のビーム成分Ｓ２を再利用する際、第２の実施例のように凹凸を有する側面はプラスに作用すると考えられる。それは、再利用によって達成可能な効率の増大は、第２の実施例において約28％であり、ひいては29％を有する第１の実施例の場合とほぼ同じ大きさだからである。]
[0053] 図３には、本発明による半導体素子１の別の実施形態が示されている。この半導体素子１も、実質的に図1の半導体素子１と同様に構成されている。しかしながら図３に示した半導体素子１は、付加的にチップ近くの偏光フィルタ４を有する。この実施形態では、チップ近くの偏光フィルタ４も、上記のチップから離れた偏光フィルタ４と同様に互いに平行に延在する金属ストライプ４ａを備えた金属格子を有する。このため、チップ近くの偏光フィルタ４は、チップから離れた偏光フィルタ４と同様に機能する。] 図３
[0054] チップ近くの偏光フィルタ４の場合、金属ストライプ４ａは半導体チップの表面に直に載置することができる。チップ近くの偏光フィルタ４の場合、金属ストライプ４ａを有するシートを使用するのが有利である。このシートは、チップケーシング２に配置され、例えば接着することができる。]
[0055] チップ近くの偏光フィルタ４を用いることによって、すでに第１のフィルタリングを行うことができ、この際に有利にも第１のビーム成分は、チップ近くの偏光フィルタ４を通って大部分が透過するのに対して、第２のビーム成分は、チップ近くの偏光フィルタ４によって大部分が反射される（図示せず）。チップ近くの偏光フィルタ４を通って透過したビーム成分は、チップから離れた偏光フィルタ４により、すでに説明したようにあらたに濾波される。この実施形態における半導体素子１は有利にも、ただ１つの偏光フィルタを有する実施形態の場合よりも多くの偏光ビームを放射することができる。しかしながら作製は一層繁雑である。それは、より小さい上記のチップ近くの偏光フィルタ４は、より大きな上記のチップから離れたより偏光フィルタ４よりも作製がより一層難しいからである。]
[0056] 図１〜３に示した実施形態の偏光フィルタ４は、金属格子を有する必要がないことに注意されたい。偏光フィルタ４は、例えば複屈折形の多層フィルタまたは別の形態の偏光フィルタとすることが可能である。] 図１ 図２ 図３
[0057] 図４の左側の図には、チップケーシングにおいて２つの光ビームＬ１およびＬ２が、例えば上記の側面に所属し得る２つの鏡面Ｒ１およびＲ２で反射した場合が示されている。ここでは偏光方向は変化しない。すなわち、入射して出射する光ビームＬ１およびＬ２の偏光方向は互いに平行である。] 図４
[0058] これに対し、図４の右側に示したように、２つの光ビームＬ１およびＬ２が、チップケーシングにおいて、例えば上記の側面に所属し得る３つの鏡面Ｒ１，Ｒ２およびＲ３で反射される場合、これらの光ビームの偏光方向は変化する。入射して出射する光ビームＬ１およびＬ２の偏光方向は、互いに垂直である。] 図４
[0059] 本発明は、上記の実施例に基づく説明によって制限されることはない。むしろ本発明には、あらゆる新規の特徴ならびにそれらの特徴のあらゆる組み合わせが含まれているのであり、これには殊に特許請求の範囲に記載した特徴のあらゆる組み合わせが含まれている。このことは上記の特徴または上記の組み合わせそのものが、特許請求の範囲あるいは実施例に明示的に記載されていないとしても当てはまるものである。]

权利要求:

請求項1
第１の偏光方向を有する偏光ビームを放射する半導体素子（１）において、該半導体素子は、−チップケーシング（２）と、−当該のチップケーシング（２）に配置されておりかつ偏光されていないビームを形成する半導体チップ（３）と、−前記のチップケーシング（２）と一体化されかつチップから離れた偏光フィルタ（４）とを有しており、該偏光フィルタは、主方向（Ｖ）に見て前記の半導体チップ（３）に後置されておりかつ第１の偏光方向を有する第１のビーム成分（Ｓ１）と、第２の偏光方向を有する第２のビーム成分（Ｓ２）に前記の半導体チップ（３）から送出されたビームを分離し、前記のチップから離れた偏光フィルタ（４）は、第１のビーム成分（Ｓ１）に対する透過率が、第２のビーム成分（Ｓ２）に対する透過率よりも高いことを特徴とする、第１の偏光方向を有する偏光ビームを放射する半導体素子（１）。
請求項2
前記のチップから離れた偏光フィルタ（４）側を向いた半導体チップ（３）の表面に、チップ近くの偏光フィルタ（４）が配置されており、当該のチップ近くの偏光フィルタ（４）は、第１のビーム成分（Ｓ１）に対する透過率、第２のビーム成分（Ｓ２）に対する透過率よりも高い、請求項１に記載の半導体素子（１）。
請求項3
前記のチップから離れた偏光フィルタ（４）および／またはチップ近くの偏光フィルタ（４）は、金属格子を有する、請求項１または２に記載の半導体素子（１）。
請求項4
前記の金属格子は、互いに平行に延在している金属ストライプ（４ａ）を有する、請求項３に記載の半導体素子（１）。
請求項5
前記のチップから離れた偏光フィルタ（４）および／またはチップ近くの偏光フィルタ（４）は、複屈折形の多層フィルタであり、該多層フィルタは、第１の屈折率ｎ１および第２の屈折率ｎを有する少なくとも１つの第１の複屈折層と、第３の屈折率ｎ２および第２の屈折率ｎを有する少なくとも１つの第２の複屈折層とを備えている、請求項１または２に記載の半導体素子（１）。
請求項6
前記のチップケーシング（２）は、凹部（５）を有しており、該凹部の境界は、前記の半導体チップ（３）が取り付けられている底面（７）と、少なくとも１つの側面（６）とによって定められており、少なくとも前記の側面（３）が反射性である、請求項１から５までのいずれか１項に記載の半導体素子（１）。
請求項7
前記の側面（６）は少なくとも一部分が反射層（１１）によって覆われている、請求項６に記載の半導体素子（１）。
請求項8
前記の側面（６）は、平らである、請求項６または７に記載の半導体素子（１）。
請求項9
前記の側面（６）は、凹凸を有する、請求項６または７に記載の半導体素子（１）。
請求項10
前記の側面（６）は、互いに斜めに延在する平らな部分面（９）から構成される表面構造を有しており、当該の部分面は鏡面と同様に作用する、請求項９に記載の半導体素子（１）。
請求項11
前記のチップから離れた偏光フィルタ（４）は、凹部（５）を覆っている、請求項６から１０までのいずれか１項に記載の半導体素子（１）。
請求項12
前記の凹部（５）には、チップから離れた偏光フィルタ（４）と、半導体チップ（３）との間に充填剤が配置されている、請求項６から１１までのいずれか１項に記載の半導体素子（１）。
請求項13
前記の充填剤は、エポキシ樹脂またはシリコーンを含む充填材料を有する、請求項１２に記載の半導体素子（１）。